單片機(jī)原理及應(yīng)用C語(yǔ)言程序設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)-第10章51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展課件.ppt
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1、2022/6/27,1,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,10.1外部I/O的擴(kuò)展10.2存儲(chǔ)器概述10.3外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,2022/6/27,2,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展 10.1外部I/O的擴(kuò)展 系統(tǒng)的擴(kuò)展歸結(jié)為三總線的連接,連接的方法很簡(jiǎn)單,連線時(shí)應(yīng)遵守下列原則: 1.連接的雙方數(shù)據(jù)線連數(shù)據(jù)線,地址線連地址線,控制線連控制線。 2.控制線相同的地址線不能相同,地址線相同的控制線不能相同。 3.片選信號(hào)有效的芯片才選中工作,當(dāng)同類芯片多片時(shí),片選端可通過(guò)線譯碼、部分譯碼、全譯碼接地址線,在單片機(jī)中多采用線選
2、法。,2022/6/27,3,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,10.1.1I/O口擴(kuò)展概述 由于MCS-51的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM和I/O口是統(tǒng)一編址的,因此,用戶可以把外部64KB的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM空間的一部分作為擴(kuò)展外圍I/O的地址空間。這樣,單片機(jī)就可以像訪問(wèn)外部RAM存儲(chǔ)器那樣訪問(wèn)外部接口芯片,對(duì)其進(jìn)行讀/寫(xiě)操作。 InteL公司常用外圍器件如表10-1所示。,2022/6/27,4,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,10.1.2I/O地址譯碼技術(shù)一、片選法 若系統(tǒng)只擴(kuò)展少量的RAM和I/O接口芯片,可采用片選法。所謂片選法即是把單獨(dú)的地址線,接到外圍芯片的片選端上,只要該地址線
3、為低電平,就選中該芯片。片選法實(shí)例如圖10-1所示。,2022/6/27,5,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,根據(jù)圖中地址線連接方法,全部地址譯碼如表10-2所示。表10-2 地址譯碼表,2022/6/27,6,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,二、地址譯碼法 對(duì)于RAM和I/O容量較大的應(yīng)用系統(tǒng),當(dāng)芯片所需的片選信號(hào)多于可利用的地址線時(shí),常采用地址譯碼法。用譯碼器對(duì)高位地址進(jìn)行譯碼,譯出的信號(hào)作為片選線。 地址譯碼實(shí)例如下圖所示。圖中尚剩余三條地址線Y5Y7,可供擴(kuò)展三片8KB RAM或三個(gè)外圍接口電路。,2022/6/27,7,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,10.2存儲(chǔ)器概述1
4、0.2.1存儲(chǔ)器的類型 存儲(chǔ)器的種類繁多,按物理特性可以分為磁介質(zhì)存儲(chǔ)器(如硬盤)、光介質(zhì)存儲(chǔ)器(如光盤)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。其中半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在單片機(jī)系統(tǒng)種類也最多,最為常見(jiàn): 1.只讀存儲(chǔ)器(ROM)2.可編程ROM(PROM)3.電可編程ROM(EPROM)4.電可擦除可編程ROM(EEPROM)5.隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)6.flash Memory7.鐵電存儲(chǔ)器(FRAM),2022/6/27,8,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,10.2.2常用存儲(chǔ)器元件一、常用的EPROM存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介 EPROM是以往單片機(jī)最常選用的程序存儲(chǔ)器芯片,是一種紫外線可擦除電可編程的存儲(chǔ)器,最經(jīng)常使用的有27C
5、系列的EPROM,如:27C16(2K)、(4K)、27C64(8K)、27C128(16K)、27C256(32K),除了27C16和27C32為24腳外,其余均為28腳。,2022/6/27,9,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,二、常用的EEPROM存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介 本書(shū)以常用的24C02為例介紹EEPROM存儲(chǔ)器,24C02是采用CMOS工藝制作的串行EEPROM存儲(chǔ)器,它具有可用電擦寫(xiě)256字節(jié)的容量,由315V電源進(jìn)行供電。其管腳圖見(jiàn)圖。,2022/6/27,10,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,24C02的引腳功能如下:1.SCL:為串行時(shí)鐘端,它用于對(duì)輸入和輸出數(shù)據(jù)的同步。2.
6、SDA:串行數(shù)據(jù)/地址管腳用于器件所有數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收。SDA是一個(gè)開(kāi)漏輸出管腳可與其它開(kāi)漏輸出或集電極開(kāi)路輸出進(jìn)行“線或”連接。3.E0、E1、E2:器件地址輸入端。最大可級(jí)聯(lián)8個(gè)器件。4.MODE:為寫(xiě)數(shù)據(jù)/寫(xiě)保護(hù) 24C02是二線制I2C串行EEPROM,具有兩種寫(xiě)入方式,一種是字節(jié)寫(xiě)入方式,還有一種是頁(yè)寫(xiě)入方式。,2022/6/27,11,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,三、操作時(shí)序起始/停止時(shí)序 寫(xiě)周期時(shí)序,2022/6/27,12,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,24C02的操作時(shí)序,2022/6/27,13,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,四、常用的SRAM存儲(chǔ)器介紹
7、 Intel SRAM 的典型芯片有2KB 的6116、8KB 的6264 以及32KB的62256。 其中6264 芯片應(yīng)用最為廣泛。其內(nèi)部組成如圖所示。,2022/6/27,14,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,10.2.3存儲(chǔ)器擴(kuò)展電路的工作方式 單片機(jī)訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器時(shí),通常采用兩種方法獲得芯片選擇信號(hào):線選法和通過(guò)譯碼器連接方法。一、線選法 線選法就是把8051的地址線直接或通過(guò)反相器連接到芯片的選通端,以8051送出的地址信號(hào)選通芯片。 線選法的連接方法有多種:一線二用、一線一選和綜合線選方式。二、地址譯碼器法 通過(guò)地址譯碼器,使用較少的地址信號(hào)編碼產(chǎn)生較多的譯碼信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)
8、多塊存儲(chǔ)器及I/O器件的選擇。,2022/6/27,15,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,10.3外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展 外部存儲(chǔ)器的擴(kuò)展包括程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,這兩種擴(kuò)展的實(shí)質(zhì)都是根據(jù)單片機(jī)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和尋址能力,把不超過(guò)64KB的RAM和ROM存儲(chǔ)器芯片按照一定規(guī)律連接到單片機(jī)的外部電路上去,作為單片機(jī)的片外存儲(chǔ)器。 單片機(jī)通過(guò)數(shù)據(jù)總線、地址總線及控制總線與存儲(chǔ)器連接,如圖所示:,2022/6/27,16,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,51系列單片機(jī)為外部程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展提供了專門的讀指令控制信號(hào),因此外部程序存儲(chǔ)器形成了獨(dú)立的空間。27C64A EPROM擴(kuò)展電路如右所示。,10.3
9、.1擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器,2022/6/27,17,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,RAM與EEPROM數(shù)據(jù)傳送流程圖,2022/6/27,18,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,10.3.2擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器及編程一、6264存儲(chǔ)器與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì) 6264靜態(tài)RAM 擴(kuò)展電路,2022/6/27,19,第10章 51單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,按照上述6264靜態(tài)RAM擴(kuò)展電路的片選方法,6264的8K地址范圍不唯一,0000H1FFFH是一種地址范圍。 當(dāng)向該片0000H單元寫(xiě)一個(gè)數(shù)據(jù)data時(shí),可用下列指令:MOVA,dataMOVDPTR,0000HMOVXDPTR,A當(dāng)從1FFFH單元讀取
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