第5章-鎖存器和觸發(fā)器(共9頁(yè)).doc
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1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上5 鎖存器和觸發(fā)器5.2 鎖 存 器5.2.1 分析圖題5.2.1所示電路的功能,列出功能表。解:由邏輯電路圖,可以得到Q端和端得邏輯表達(dá)式根據(jù)上面兩式,可以得到該鎖存器的功能表,如表題解5.2.1所示。5.2.2 用CMOS電路74HCT02或非門(mén)構(gòu)成消除機(jī)械開(kāi)關(guān)抖動(dòng)影響的電路如圖題5.2.2所示,試畫(huà)出在開(kāi)關(guān)S由位置A到B時(shí)Q和端的波形。如改用TTL電路74LS02實(shí)現(xiàn),R1、R2取值的大致范圍為多少?整個(gè)電路的功耗發(fā)生什么變化?解: 如圖題5.2.2所示,開(kāi)關(guān)接通A點(diǎn)時(shí),Q=0,=1。當(dāng)開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)撥離A點(diǎn)瞬間,由于=1的作用,其抖動(dòng)不會(huì)影響Q=0的狀態(tài)。在開(kāi)關(guān)懸空
2、期間,鎖存器保持狀態(tài)不變。開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)第一次接通B點(diǎn),就使翻轉(zhuǎn)為0,Q翻轉(zhuǎn)為1.此時(shí)開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)已離開(kāi)A點(diǎn),在Q=1的作用下,即使觸點(diǎn)的抖動(dòng)會(huì)使B點(diǎn)電平發(fā)生跳動(dòng),也不會(huì)改變=0的狀態(tài)。該過(guò)程中的Q和的波形如圖題解5.2.2(a)所示。如果改用TTL電路74LS02實(shí)現(xiàn),由于其輸入電路如圖題解5.2.2(b)點(diǎn)畫(huà)線框內(nèi)所示,所以當(dāng)開(kāi)關(guān)未接通A點(diǎn)時(shí),電源VCC將通過(guò)集成電路內(nèi)部的電阻r1和肖特基二極管D1向電路外接電阻R1注入電流。如果R1阻值過(guò)大,在該電阻上產(chǎn)生的壓降有可能超過(guò)TTL電路所允許的低電平輸入電壓最大值,從而電路可能發(fā)生邏輯混亂??梢粤谐鱿铝胁坏仁?4LS系列電路規(guī)定VCC=5V,=0.8V
3、。74LS02中,r1的典型值為20k,肖特基二極管正向?qū)〞r(shí)的典型壓降=0.4V。將上述參數(shù)代入不等式,可得R14.2k。為了降低電路功耗,R1取值不宜過(guò)小,一般應(yīng)大于500。所以R1得取值范圍應(yīng)為 500R14.2k的取值與R1相同。TTL電路的靜態(tài)功耗大于CMOS電路,同時(shí)考慮到R1和R2的功耗,用74LS02構(gòu)成圖題5.2.2所示的電路,功耗將顯著增大。5.2.5 若圖5.2.8(a)所示電路的初始狀態(tài)為Q=1,E、S、R端的輸入信號(hào)如圖題5.2.5所示,試畫(huà)出相應(yīng)Q和端的波形。解:設(shè)初態(tài)Q=1,按照?qǐng)D題5.2.5所示波形,推導(dǎo)出圖5.2.8(a)電路的輸出端Q和的波形如圖題解5.2.
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- 關(guān) 鍵 詞:
- 鎖存器 觸發(fā)器