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1、PCBPCB電鍍電鍍-化銅化銅 Contents1.線路板的結構及技術要求2.線路板線路形成工藝介紹3.線路板曝光工藝4.線路板顯影/蝕刻/去膜工藝5.PCB 化銅工藝介紹6.PCB 電鍍工藝介紹 1.Build-up層線寬2.Build-up層線距3.Core層線寬4.Core層線距5.盲孔孔徑6.盲孔內(nèi)層孔環(huán)7.盲孔外層孔環(huán)8.通孔孔徑9.通孔孔環(huán)10.Build-up層厚度11.Core層厚度多層PCB的結構 PCB類別類別最小最小線寬線寬/線距線距最小孔最小孔徑徑孔位精度孔位精度曝光曝光對位精度對位精度Desktop PC100/100m0.25mm125m50mNotebook75/

2、75m0.20mm盲孔120 m75m30mMobile(HDI/FPC)50/50m0.15mm盲孔100 m75m25mBGA25/25m盲孔75m50m15mFlip Chip12/12m盲孔50m20m10m印刷電路板各種產(chǎn)品的技術規(guī)格要求 1.Tenting Process（干膜蓋孔法）（干膜蓋孔法）適用于適用于PCB、FPC、HDI等等 量產(chǎn)最小線寬量產(chǎn)最小線寬/線距線距 35/35m2.Semi-Addictive Process（半加成法）（半加成法）適用于適用于WB Substrate、Flip Chip Substrate 量產(chǎn)最小線寬量產(chǎn)最小線寬/線距線距 12/12m3

3、.Modified Semi-Addictive Process（改良型半加成法）（改良型半加成法）適用于適用于CSP、WB Substrate、Flip Chip Substrate 量產(chǎn)最小線寬量產(chǎn)最小線寬/線距線距 25/25m線路形成工藝的種類及應用范圍 vTenting Process（干膜蓋孔法）介紹:普通PCB、HDI、FPC及Substrate Core層等產(chǎn)品，使用的基材為FR-4（難燃性環(huán)氧樹脂覆銅板）、RCC（涂覆樹脂覆銅板）、FCCL（柔性基材覆銅板）等材料。RCC：FCCL：FR-4：線路形成工藝的種類及應用范圍 vSAP（半加成法）與MSAP（改良型半加成法）介紹S

4、AP與MSAP工藝采用Build-up工藝制作。其中SAP的主要材料為ABF（Ajinomoto Build-up Film）和液態(tài)樹脂；MSAP工藝的主要材料為超薄銅覆銅板（基材為BT、FR-5等，銅厚5m）ABF材料BUM液態(tài)樹脂覆銅板線路形成工藝的種類及應用范圍 蓋孔法干膜前處理 壓膜曝光顯影蝕刻去膜化學沉銅 干膜前處理壓膜曝光顯影鍍銅化學清洗去膜閃蝕 減薄銅蝕刻 干膜前處理壓膜曝光顯影鍍銅化學清洗去膜閃蝕 SAPMSAP線路形成工藝的種類及應用范圍線路形成工藝的種類及應用范圍 vTenting Process（干膜蓋孔法）介紹（干膜蓋孔法）介紹前處理壓膜曝光顯影蝕刻去膜目的：清潔銅面，

5、粗化銅面，增加干膜與銅面的結合力目的：將感光干膜貼附在銅面上目的：將設計的影像圖形通過UV光 轉(zhuǎn)移到PCB的干膜上目的：將設計的影像圖形通過UV光 轉(zhuǎn)移到PCB的干膜上目的：將沒有覆蓋干膜的銅面去除目的：將銅面殘留的干膜去除線路形成工藝的種類及應用范圍線路形成工藝的種類及應用范圍vSAP（半加成法）與（半加成法）與MSAP（改良型半加成法）介紹（改良型半加成法）介紹SAP 與MSAP工藝的區(qū)別是，SAP的基材上面是沒有銅層覆蓋的，在制作線路前需在線路表面沉積一層化學銅（約1.5m），然后進行顯影等工藝；MSAP基材表面有厚度為35m厚度的電解銅，制作線路前需用化學藥水將銅層厚度咬蝕到2m。目的

6、:將可感光的干膜貼附于銅面上目的:將設計之影像圖形,轉(zhuǎn)移至基板的干膜上目的:將沒有曝到光之干膜去除目的:將化銅層蝕刻掉目的:將多余的干膜去除目的:將顯影后之線路鍍滿線路形成工藝的種類及應用范圍線路形成工藝的種類及應用范圍ABF熟化后的膜厚約在3070m之間，薄板者以3040m較常用一般雙面CO2雷射完工的24mil燒孔，其孔形都可呈現(xiàn)良好的倒錐狀。無銅面之全板除膠渣(Desmearing)后，其全板面與孔壁均可形成極為粗糙的外觀，化學銅之后對細線路干膜的附著力將有幫助。雷射成孔及全板面式除膠渣雷射成孔及全板面式除膠渣 覆晶載板除膠渣的動作與一般PCB并無太大差異，仍然是預先膨松(Swellin

7、g)、七價錳(Mn+7)溶膠與中和還原(Reducing)等三步。不同者是一般PCB只處理通孔或盲孔的孔壁區(qū)域，但覆晶載板除了盲孔之孔壁外，還要對全板的ABF表面進行整體性的膨松咬蝕，為的是讓1m厚的化銅層在外觀上更形粗糙，而令干膜光阻與電鍍銅在大面積細線作業(yè)中取得更好的附著力。ABF表面完成0.3-0.5m化學銅之后即可進行干膜光阻的壓貼，隨后進行曝光與顯像而取得眾多線路與大量盲孔的鍍銅基地，以便進行線路鍍銅與盲孔填銅。咬掉部份化銅后完成線路咬掉部份化銅后完成線路完成填充盲孔與增厚線路的鍍銅工序后，即可剝除光阻而直接進行全面性蝕該。此時板面上非線路絕緣區(qū)的化學銅很容易蝕除，于是在不分青紅皂白

8、全面銃蝕下，線路的鍍銅當然也會有所消磨但還不致傷及大雅。所呈現(xiàn)的細線不但肩部更為圓滑連底部多余的殘足也都消失無蹤，品質(zhì)反倒更好！此等一視同仁通面全咬的蝕該法特稱為Differential Etching。此六圖均為SAP 323切片圖；左上為1mil細線與內(nèi)核板之50倍整體畫面。中上為200倍明場偏光畫面，右上為暗場1000倍的呈現(xiàn)，其黑化層清楚可見。左下為1000倍常規(guī)畫面，中下為200倍的暗場真像。右下為3000倍ABF的暗場畫面，底墊為1/3oz銅箔與厚電鍍銅，銅箔底部之黃銅層以及盲孔左右之活化鈀層與化銅層均清晰可見。傳統(tǒng)的 PTHPTH 孔金屬化孔金屬化工藝流程工藝流程 功能功能去鉆污

9、去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLGn 溶脹溶脹使樹脂易被高錳酸鹽蝕刻攻擊使樹脂易被高錳酸鹽蝕刻攻擊n 高錳酸鹽蝕刻高錳酸鹽蝕刻去除鉆污和樹脂去除鉆污和樹脂n 還原還原除去降解產(chǎn)物和清潔除去降解產(chǎn)物和清潔/處理表面處理表面.(清潔清潔/蝕刻玻璃）蝕刻玻璃）只有三個工藝步驟只有三個工藝步驟:溶脹溶脹還原還原高錳酸鹽高錳酸鹽蝕刻蝕刻去鉆污前（去毛刺后）各種去鉆污前（去毛刺后）各種去鉆污前（去毛刺后）各種去鉆污前（去毛刺后）各種 類型類型類型類型PCB PCB 的狀態(tài)的狀態(tài)的狀態(tài)的狀態(tài)通孔和微盲孔中的鉆污通孔和微盲孔中的鉆污通孔和微盲孔中的鉆污通孔和微盲孔中的鉆污銅箔銅箔銅箔銅

10、箔樹脂樹脂樹脂樹脂內(nèi)層內(nèi)層內(nèi)層內(nèi)層多層多層多層多層RCC/FR-4 板板裸樹脂板裸樹脂板裸樹脂板裸樹脂板RCCRCC箔箔箔箔內(nèi)層底盤內(nèi)層底盤內(nèi)層底盤內(nèi)層底盤 玻璃纖維玻璃纖維玻璃纖維玻璃纖維鉆污鉆污鉆污鉆污 鉆污鉆污鉆污鉆污 芯芯芯芯 鉆污鉆污鉆污鉆污 鉆污鉆污鉆污鉆污FR-4FR-4SAPSAP膜膜膜膜去鉆污去鉆污去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLGSecuriganth P/P500/MV/BLG SBU Sequential Build-up TechnologySBU Sequential Build-up Technology工藝流程工藝流程 溶脹溶脹使樹

11、脂易受高錳酸鹽蝕刻液使樹脂易受高錳酸鹽蝕刻液的最佳攻擊并保障環(huán)氧樹脂的最佳攻擊并保障環(huán)氧樹脂(Tg 150C)表面的微觀粗表面的微觀粗糙度糙度溶脹溶脹去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG溶脹溶脹 通孔和微盲孔中溶脹之后的鉆污通孔和微盲孔中溶脹之后的鉆污溶脹之后溶脹之后溶脹劑去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG溶脹溶脹 溶脹之前溶脹之前(0 秒秒)去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG溶脹溶脹 溶脹溶脹150 秒之后秒之后去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG溶脹溶脹 溶脹溶脹240秒之后

12、秒之后去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG工藝流程工藝流程 堿性高錳酸鹽蝕刻堿性高錳酸鹽蝕刻高錳酸鹽蝕刻溶液除去內(nèi)層（銅）高錳酸鹽蝕刻溶液除去內(nèi)層（銅）表面的鉆污，清潔孔壁并且粗化表面的鉆污，清潔孔壁并且粗化(Tg 150C)的環(huán)氧樹脂之表面的環(huán)氧樹脂之表面去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG堿性高錳酸鹽堿性高錳酸鹽蝕刻蝕刻高錳酸鹽蝕刻之后高錳酸鹽蝕刻之后高錳酸鹽蝕刻高錳酸鹽蝕刻 蝕刻通孔和微盲孔的表面蝕刻通孔和微盲孔的表面CH4+12 MnO4-+14 OH-CO32-+12 MnO42-+9 H2O+O22 MnO42-+2 H2O

13、MnO2+OH-+O2去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLGMnO4-高錳酸鹽蝕刻高錳酸鹽蝕刻 溶脹之后溶脹之后 不經(jīng)過蝕刻不經(jīng)過蝕刻去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG高錳酸鹽蝕刻高錳酸鹽蝕刻 150 秒蝕刻之后秒蝕刻之后去鉆污去鉆污去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLGSecuriganth P/P500/MV/BLG高錳酸鹽蝕刻高錳酸鹽蝕刻 240 秒蝕刻之后秒蝕刻之后去鉆污去鉆污去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLGSecuriganth P/P500/MV/BLG去鉆污去鉆污 S

14、ecuriganth P/P500/MV/BLG環(huán)氧樹脂(未經(jīng)固化)Bisphenol A Epichlorhydrin高錳酸鹽攻擊環(huán)氧樹脂分子中的極性官能團高錳酸鹽攻擊環(huán)氧樹脂分子中的極性官能團.不含極性官能團的高分子化合物不能被去鉆污不含極性官能團的高分子化合物不能被去鉆污.高錳酸鹽蝕刻高錳酸鹽蝕刻 攻擊環(huán)氧樹脂攻擊環(huán)氧樹脂去鉆污去鉆污去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLGSecuriganth P/P500/MV/BLG標準標準標準標準 FR-4 FR-4(150 C)(150 C)300 x300 x 300 x300 x 2000 x2000 x 2000

15、x2000 x非均相非均相非均相非均相交聯(lián)交聯(lián)交聯(lián)交聯(lián)均相均相均相均相交聯(lián)交聯(lián)交聯(lián)交聯(lián)去鉆污去鉆污去鉆污去鉆污高錳酸鹽蝕刻高錳酸鹽蝕刻 去鉆污的結果去鉆污的結果高錳酸鹽蝕刻高錳酸鹽蝕刻 還原還原還原劑能還原還原劑能還原/除去二氧化錳除去二氧化錳殘留并對玻璃纖維進行前處理殘留并對玻璃纖維進行前處理以期最佳（沉銅）的覆蓋以期最佳（沉銅）的覆蓋.如有需要，玻璃纖維可被玻璃如有需要，玻璃纖維可被玻璃蝕刻添加劑同時清潔與蝕刻蝕刻添加劑同時清潔與蝕刻.還原還原去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG還原還原 清潔后的通孔與微盲孔表面清潔后的通孔與微盲孔表面還原之后還原之后Mn4+2

16、 e-Mn2+H2O2 2 H+2 e-+O2Conditioner去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLGH2O2/NH2OHNH2OH 2 H+2 H2O+2 e-+N2PTH前不同類型的前不同類型的PCB板板 去鉆污后的通孔以及微盲孔表面去鉆污后的通孔以及微盲孔表面經(jīng)過去鉆污處理后經(jīng)過去鉆污處理后多層板多層板 FR-4FR-4 覆銅板覆銅板覆銅板覆銅板 樹脂樹脂樹脂樹脂 內(nèi)層內(nèi)層內(nèi)層內(nèi)層傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH 內(nèi)層鉆盤內(nèi)層鉆盤內(nèi)層鉆盤內(nèi)層鉆盤FR-4 板板裸樹脂板裸樹脂板鉆孔之后鉆孔之后200 x1000 x通孔通孔 鉆孔之后鉆孔之后去鉆污去鉆污去鉆污去鉆污 Sec

17、uriganth P/P500/MV/BLGSecuriganth P/P500/MV/BLG通孔通孔 去鉆污之后去鉆污之后去鉆污之后去鉆污之后200 x1000 x去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLGAjinomoto Bare Laminate Ajinomoto 裸樹脂板裸樹脂板去鉆污之前去鉆污之前去鉆污之前去鉆污之前1000 x5000 x去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLGAjinomoto Bare Laminate Ajinomoto裸樹脂板裸樹脂板去鉆污之后去鉆污之后去鉆污之后去鉆污之后1000 x5000 x去鉆污去鉆污

18、 Securiganth P/P500/MV/BLGAjinomoto Bare Laminate Ajinomoto裸樹脂板裸樹脂板去鉆污之前去鉆污之前去鉆污之前去鉆污之前1000 x2000 x去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLGAjinomoto Bare Laminate Ajinomoto裸樹脂板裸樹脂板鉆污之后鉆污之后1000 x2000 x去鉆污之后去鉆污之后去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG鉆孔之后鉆孔之后1300 x3000 x激光鉆成的微盲孔激光鉆成的微盲孔 鉆孔之后鉆孔之后去鉆污去鉆污 Securiganth P/

19、P500/MV/BLG去鉆污之后去鉆污之后1100 x2700 x激光鉆成的微盲孔激光鉆成的微盲孔 去鉆污之后去鉆污之后去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG鉆孔之前鉆孔之前1000 x1000 xRCC 技術技術 激光鉆成的激光鉆成的 去鉆污之前去鉆污之前去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG去鉆污之后去鉆污之后1000 x1000 xRCC 技術技術 激光鉆孔激光鉆孔 去鉆污之后去鉆污之后去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG工藝流程工藝流程-特征特征&優(yōu)點優(yōu)點溶脹溶脹高錳酸鹽高錳酸鹽蝕刻蝕刻還原還原n 簡短的流

20、程 只須3步 n 快速和有效的去鉆污n 體系內(nèi)再生高錳酸鹽（延長槽液壽命)n 極好的玻璃處理性能n 最高質(zhì)量的去鉆污n 無害于環(huán)境(交少的有機物)n 應用于微盲孔具有最好的潤濕性 去鉆污去鉆污 Securiganth P/P500/MV/BLG*可選可選可選可選工藝流程工藝流程 垂直沉銅垂直沉銅 應用應用清潔清潔清潔清潔預浸預浸預浸預浸活化活化活化活化微蝕清潔微蝕清潔微蝕清潔微蝕清潔調(diào)整調(diào)整調(diào)整調(diào)整*還原還原還原還原傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTHPTH化學沉銅化學沉銅化學沉銅化學沉銅垂直垂直垂直垂直優(yōu)點：優(yōu)點：均勻致密的化學銅沉積均勻致密的化學銅沉積優(yōu)異的結合力（不起泡）優(yōu)異的結合力（不起泡

21、）穩(wěn)定的槽液使用壽命穩(wěn)定的槽液使用壽命沉積速率穩(wěn)定，適用于通孔沉積速率穩(wěn)定，適用于通孔 和盲孔的生產(chǎn)制程和盲孔的生產(chǎn)制程5 55 52 21 14 44 414.2014.20時間時間時間時間 分分分分 工藝流程工藝流程 清潔清潔&調(diào)整調(diào)整清潔劑確?？變?nèi)表面達到最佳的表面清潔清潔劑確?？變?nèi)表面達到最佳的表面清潔狀態(tài)，以便保證有良好的化學銅結合力狀態(tài)，以便保證有良好的化學銅結合力清潔清潔傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH清潔清潔/調(diào)整調(diào)整 樹脂表面和銅表面的前處理樹脂表面和銅表面的前處理經(jīng)過清潔劑經(jīng)過清潔劑/調(diào)整劑處理后調(diào)整劑處理后傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTHPTH工藝流程工藝流程 清潔清潔&調(diào)整調(diào)整如果

22、去鉆污工序中沒有調(diào)整步驟如果去鉆污工序中沒有調(diào)整步驟,必須附加一個額外的調(diào)整劑或在必須附加一個額外的調(diào)整劑或在使用一些特殊的材料如：使用一些特殊的材料如：PTFE聚聚四氟乙烯四氟乙烯,PI聚酰亞胺聚酰亞胺)時時清潔清潔調(diào)整調(diào)整傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH去鉆污調(diào)整去鉆污調(diào)整!清潔調(diào)整清潔調(diào)整 玻璃表面的前處理玻璃表面的前處理調(diào)整劑經(jīng)過清潔調(diào)整劑處理后經(jīng)過清潔調(diào)整劑處理后經(jīng)過清潔調(diào)整劑處理后經(jīng)過清潔調(diào)整劑處理后傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTHPTH調(diào)整調(diào)整 表面前處理表面前處理調(diào)整調(diào)整 只有當表面清潔時，玻璃纖維的調(diào)整才會起作用來避免可能破壞連接機制的副效應只有當表面清潔時，玻璃纖維的調(diào)整才會起作用來避

23、免可能破壞連接機制的副效應!最好的調(diào)整性能最好的調(diào)整性能 在堿性高錳酸鹽去鉆污后的還原步驟中在堿性高錳酸鹽去鉆污后的還原步驟中調(diào)整劑產(chǎn)品調(diào)整劑產(chǎn)品n 還原清潔劑還原清潔劑 Securiganth P (速效普通的雙氧水體系的還原劑，添加了調(diào)整劑成分速效普通的雙氧水體系的還原劑，添加了調(diào)整劑成分)n還原清潔劑還原清潔劑 Securiganth P500 (有機體系的還原劑，添加了調(diào)整劑成分有機體系的還原劑，添加了調(diào)整劑成分)注意：若沒有經(jīng)過調(diào)整，化學銅后的背光效果會比較差!傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH調(diào)整調(diào)整 機理機理-樹脂樹脂玻璃玻璃纖維纖維調(diào)整劑分子調(diào)整劑分子(表面活性劑表面活性劑 Tenside)

24、部分帶負部分帶負電荷電荷經(jīng)過調(diào)整后的玻璃表面經(jīng)過調(diào)整后的玻璃表面經(jīng)過去鉆污后的玻璃表面經(jīng)過去鉆污后的玻璃表面-均勻的，有機的，均勻的，有機的，荷電表面荷電表面 部分部分帶正電荷帶正電荷+傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH調(diào)整調(diào)整調(diào)整調(diào)整 機理機理機理機理 /OH OH /OH OH /OHOH|O Si O Si O Si O O Si O Si O Si O|O O O O O O|N N N N n n調(diào)整劑的碳鏈調(diào)整劑的碳鏈(部分帶正電荷部分帶正電荷)玻璃纖維玻璃纖維 的分子模型的分子模型(部分帶負電部分帶負電)傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTHPTH 工藝流程工藝流程 微蝕清潔微蝕清潔銅的蝕刻及粗化是

25、為了化學銅銅的蝕刻及粗化是為了化學銅-內(nèi)層銅內(nèi)層銅之間有良好的結合效果。之間有良好的結合效果。n 微蝕清潔劑 Securiagnth 過硫酸鹽體系 通常的微蝕清潔劑基于過硫酸鈉（通常的微蝕清潔劑基于過硫酸鈉（SPS）適用于各種技術適用于各種技術n 微蝕清潔劑 Securiganth C 微蝕清潔劑是為特殊的表面性能而設計的。微蝕清潔劑是為特殊的表面性能而設計的。微蝕清潔微蝕清潔傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH微蝕清潔微蝕清潔 蝕刻及粗化銅表面蝕刻及粗化銅表面SPS:Cu+SSPS:Cu+S2 2O O8 82-2-CuCu2+2+2 SO+2 SO4 42-2-經(jīng)過微蝕清潔后經(jīng)過微蝕清潔后傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)

26、的傳統(tǒng)的 PTHPTH經(jīng)過去鉆污處理后經(jīng)過去鉆污處理后微蝕清潔微蝕清潔 清潔及粗化銅表面清潔及粗化銅表面200 x1000 x玻璃顆粒玻璃顆粒傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH微蝕清潔微蝕清潔 過硫酸鈉的機理過硫酸鈉的機理銅的反應銅的反應(氧化反應氧化反應)S2O82-+2 H+2 e-2 HSO4-過硫酸根反應過硫酸根反應(還原反應還原反應)S2O82-+2 H+Cu0 Cu2+2 HSO4-Cu0 Cu2+2 e-銅溶解反應銅溶解反應(氧化還原反應氧化還原反應)Na2S2O8+H2SO4+Cu0 CuSO4+2 NaHSO4 傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH表面結構形貌表面結構形貌 微蝕清潔劑微蝕清潔劑 Secur

27、iganth 過硫酸鈉過硫酸鈉(SPS)傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH經(jīng)過刷板后的銅表面經(jīng)過刷板后的銅表面 經(jīng)過微蝕清潔劑經(jīng)過微蝕清潔劑 Securiganth過硫酸鈉處理之后的銅表面過硫酸鈉處理之后的銅表面.(150 g/l SPS,25 ml/l H2SO4 50%w/w,35C,1.5分分).微蝕清潔微蝕清潔 微蝕清潔劑微蝕清潔劑 Securiganth C 的機理的機理銅的反應銅的反應(氧化反應氧化反應)HSO5-+2 H+2 e-HSO4-+H2O 微蝕清潔劑微蝕清潔劑 Securiganth C 的反應的反應(還原反應還原反應)HSO5-+2 H+Cu0 Cu2+HSO4-+H2O Cu0

28、Cu2+2 e-銅溶解反應銅溶解反應(氧化還原反應氧化還原反應)KHSO5+H2SO4+Cu0 CuSO4+KHSO4+H2O 傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH表面微觀形貌表面微觀形貌 微蝕清潔劑微蝕清潔劑 Securiganth C經(jīng)過刷板后的銅表面經(jīng)過刷板后的銅表面.(50 g/l Securiganth Etch Cleaner C,50 ml/l H2SO4 50%w/w,35 C,1.5 min)傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH經(jīng)過經(jīng)過微蝕清潔劑微蝕清潔劑 Securiganth C處理后的表面處理后的表面工藝流程工藝流程 活化活化/催化催化預浸是用來避免前工序的藥液污預浸是用來避免前工序的藥液污染活化。染

29、活化。n n 預浸 Neoganth 系列 預浸藥液是為離子鈀而設計的預浸藥液是為離子鈀而設計的預浸預浸預浸預浸 傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTHPTH工藝流程工藝流程 活化活化/催化催化離子鈀（或膠體鈀）主要吸附于樹脂表離子鈀（或膠體鈀）主要吸附于樹脂表面面,以及經(jīng)過調(diào)整過的玻璃纖維。使孔壁以及經(jīng)過調(diào)整過的玻璃纖維。使孔壁吸附一層鈀金屬導電層，以便于后續(xù)的吸附一層鈀金屬導電層，以便于后續(xù)的化學銅工序?；瘜W銅工序。活化活化活化活化 傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTHPTHn n 催化 Neoganth/Pallacat Catalyst 系列 離子鈀的催化劑離子鈀的催化劑/膠體鈀膠體鈀Pd-Sn

30、催化溶液催化溶液 是為普通的基材設計的催化劑是為普通的基材設計的催化劑活化活化/催化催化 通孔及盲孔表面的活化通孔及盲孔表面的活化經(jīng)過活化處理后經(jīng)過活化處理后傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTHPTH特征及優(yōu)點特征及優(yōu)點 Neoganth Activator 系列系列 vs.膠體鈀系列膠體鈀系列(Black Seeder)傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTHPTH膠體催化劑膠體催化劑 膠體的組成（膠體的組成（Black Seeder)傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTHPdCl2+SnCl2 PdxSn(OH)y+y Cl-+SnO(OH)2 H2O/H+鈀的吸附鈀的吸附 調(diào)整過的表面調(diào)整過的表面Neoganth A

31、ctivator 系列的化學反應系列的化學反應Activator Neoganth Activator Neoganth 系列系列 PdPd2+2+做為做為 PdSOPdSO4 4,和有機絡合劑和有機絡合劑 OO|Si Si OO(-)(-)|OO玻璃玻璃樹脂樹脂Pd Pd 的吸附的吸附的吸附的吸附:樹脂樹脂樹脂樹脂 玻璃玻璃玻璃玻璃 銅銅銅銅 OO|C C O O|OO(2+)(2+)PdPd n n(2+)(2+)PdPd n n N N(+)(+)N N n n傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTHPTH鈀的吸附鈀的吸附 調(diào)整過的表面調(diào)整過的表面膠體鈀系列的化學反應膠體鈀系列的化學反應(Bla

32、ck Seeder)膠體鈀催化劑系列膠體鈀催化劑系列 PdPd2+2+as PdCl as PdCl2 2,and SnCl,and SnCl2 2 作為膠體種子作為膠體種子r r OO|Si Si OO(-)(-)|OOGlassGlassResinResinPd Pd 的吸附的吸附的吸附的吸附:樹脂樹脂樹脂樹脂 玻璃玻璃玻璃玻璃 銅銅銅銅 OO|C C O O|OO N N(+)(+)N N n n傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTHPTH(2+)(2+)PdPd n n特征及優(yōu)點特征及優(yōu)點 Neoganth Activator 系列系列 vs.膠體鈀膠體鈀(Black Seeder)Acti

33、vator NeoganthPd2+絡合的低聚合物及隨后的還絡合的低聚合物及隨后的還原劑原劑優(yōu)優(yōu)優(yōu)優(yōu)優(yōu)優(yōu)低低無無無無Pd2+,pH=alkaline化學化學溶液能力溶液能力覆蓋性能覆蓋性能n 玻璃玻璃n 樹脂樹脂銅面上鈀的銅面上鈀的損耗損耗銅面的殘留銅面的殘留對基材的腐蝕對基材的腐蝕可監(jiān)控性可監(jiān)控性膠體鈀催化劑膠體鈀催化劑Pd/Sn膠體及隨后的速化劑膠體及隨后的速化劑(Sn 絡合劑絡合劑)對氧化劑敏感對氧化劑敏感(Sn2+Sn4+)優(yōu)優(yōu)優(yōu)優(yōu)中等中等可能可能可能可能Pd,Sn2+,Sn4+,Cu,pH=0傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的 PTH工藝流程工藝流程 還原還原經(jīng)過活化后，經(jīng)過活化后，Reducer NeoganthReducer Neoganth將將吸附的離子鈀還原為金屬鈀，使吸附的離子鈀還原為金屬鈀，使之能夠在隨后的化學銅工藝中起之能夠在隨后的化學銅工藝中起催化的作用。催化的作用。速化劑系列速化劑系