電磁場與電磁波ppt課件高教版-第四章-靜態(tài)場邊值問題的解法.ppt
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1、3.1直接積分法邊界條件積分之,得通解 例3.1 設(shè)有電荷均勻分布在半徑為a的介質(zhì)球型區(qū)域中,電荷體密度為 ,試用解微分方程的方法求球體內(nèi)、外的電位及電場。解:采用球坐標(biāo)系,分區(qū)域建立方程參考點(diǎn)電位圖 體電荷分布的球形域電場 第四章第四章 靜態(tài)場及邊值問題的解法靜態(tài)場及邊值問題的解法解得 電場強(qiáng)度(球坐標(biāo)梯度公式):對(duì)于一維場(場量僅僅是一個(gè)坐標(biāo)變量的函數(shù)),只要對(duì)二階常系數(shù)微分方程積分兩次,得到通解;然后利用邊界條件求得積分常數(shù),得到電位的解;再由 得到電場強(qiáng)度E的分布。電位:3.2直角坐標(biāo)系中的分離變量法直角坐標(biāo)系中的分離變量法 分離變量法是一種最經(jīng)典的微分方程法,它適用于求解一類具有理想
2、邊界條件的典型邊值問題。一般情況下,采用正交坐標(biāo)系可用分離變量法得出拉普拉斯方程或波動(dòng)方程的通解,而只有當(dāng)場域邊界與正交坐標(biāo)面重合或平行時(shí),才可確定積分常數(shù),得到邊值問題的解。解題的一般步驟:根據(jù)邊界的幾何形狀和場的分布特征選定坐標(biāo)系,寫出對(duì)應(yīng)的邊值 問題(微分方程和邊界條件);分離變量,將一個(gè)偏微分方程,分離成幾個(gè)常微分方程;解常微分方程,并疊加各特解得到通解;利用給定的邊界條件確定積分常數(shù),最終得到電位函數(shù)的解。直角坐標(biāo)系中的拉普拉斯方程:設(shè),則方程變?yōu)椋荷鲜匠闪⒌奈ㄒ粭l件是三項(xiàng)中每一項(xiàng)都是常數(shù),故可分解為下列三個(gè)方程:其中以常微分方程 為例,其解的形式為:常微分方程的解:若 為零,則 若
3、 為實(shí)數(shù),則 若 為虛數(shù),設(shè) 則 如右圖雙曲正弦曲線,通過原點(diǎn)對(duì)原點(diǎn)對(duì)稱,雙曲余弦曲線,不通過原點(diǎn),對(duì)Y軸對(duì)稱,頂點(diǎn)(同極小點(diǎn)):A(0,1)例3.2 圖示一無限長金屬槽,其三壁接地,另一壁與三壁絕緣且保持電位為 ,金屬槽截面為正方形(邊長為a),試求金屬槽內(nèi)電位的分布。解:選定直角坐標(biāo)系(D域內(nèi))(1)(2)(3)(4)(5)邊值問題圖 接地金屬槽的截面2)分離變量代入式(1)有根據(jù) 可能的取值,可有6個(gè)常微分方程:設(shè)稱為分離常數(shù),可以取值3)解常微分方程,將各特解線性疊加得通解。4)利用給定邊界條件確定積分常數(shù),最終得到電位函數(shù)的解。圖 雙曲函數(shù)d)比較系數(shù)法:當(dāng) 時(shí),(D域內(nèi))當(dāng) 時(shí),滿
4、足拉普拉斯方程的通解有無數(shù)個(gè),但滿足給定邊界條件的解是唯一的。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)也可定性判斷通解中能否舍去 或 項(xiàng)。若 ,利用 sin 函數(shù)的正交性來確定 。等式兩端同乘 ,然后從0到a對(duì)x積分圖 接地金屬槽內(nèi)的等位線分布例3.3求如圖長方體積中的電位函數(shù)。邊界條件為除zc面電位不為零外,其他各表面的電位都為零。Zc表面上給定的電位函數(shù)為U(x,y)。解:解:分離變量,令(x,y,z)=X(x)Y(y)Z(z)有二個(gè)獨(dú)立的本征值。邊界條件可分解為:X(0)=X(a)=0Y(0)=Y(b)=0利用齊次邊界條件求出本征值和本征函數(shù)。是待定常數(shù),要解出使方程有非零解的值和此非零解X(x)。該邊值問題稱為常微分
5、方程在此邊值條件下的固有值(特征值)問題。稱為該問題的固有值(特征值),X(x)稱為該問題的固有(特征)函數(shù)。分三種情況討論。(1)設(shè)0,令2,常微分方程的通解為代入邊界條件,A0,Bsina0,B不能為零,否則只有零解。所以sina0,其中m1,2,。n=1,2,。所以固有值和固有函數(shù)分別為:所以兩方程組的解分別為:滿足部分齊次邊界條件的偏微分方程的一組特解為為使解滿足所有的邊界條件,將所有特解疊加。從已知邊界條件根據(jù)線性齊次方程的疊加原理,通過調(diào)整系數(shù)可使(x,y,z)滿足所有邊界條件。將U(x,y)展開成雙重傅立葉級(jí)數(shù)比較系數(shù)可得原定解問題的解是3.3圓柱坐標(biāo)系中的分離變量法圓柱坐標(biāo)系中
6、的分離變量法圓柱坐標(biāo)系中的拉普拉斯方程:1)選定圓柱坐標(biāo),列出邊值問題(1)(2)(3)(4)(5)(6)例3.4 在均勻電場 中,放置一根半徑為a,介電常數(shù)為 的無限長均勻介質(zhì)圓柱棒,它的軸線與 垂直。柱外是自由空間 。試求圓柱內(nèi)外電位函數(shù) 和電場強(qiáng)度 的分布。根據(jù)場分布的對(duì)稱性圖 均勻電場中的介質(zhì)圓柱棒3)解常微分方程,將各特解線性疊加得通解。當(dāng) 時(shí),當(dāng) 時(shí),2)分離變量,設(shè) 代入式(1)得或根據(jù)根據(jù) ,比較系數(shù)得當(dāng) 時(shí),4)利用給定邊界條件確定積分常數(shù)。根據(jù)場分布對(duì)稱性當(dāng) 時(shí),通解中不含 的奇函數(shù)項(xiàng),解之,得比較系數(shù)法:當(dāng) 時(shí),得當(dāng) 時(shí),則最終解c)由分界面 的銜接條件,得 介質(zhì)柱內(nèi)的電
7、場是均勻的,且與外加電場E0平行。因 ,所以 。介質(zhì)柱外的電場非均勻變化,但遠(yuǎn)離介質(zhì)柱的區(qū)域,其電場趨近于均勻電場 。圖 均勻外電場中介質(zhì)圓柱內(nèi)外的電場 3.5鏡像法鏡像法思路思路:用假想的鏡像電荷代替邊界上的感應(yīng)電荷。保持求解區(qū)域中場方程和邊界條件不變。使用范圍:界面幾何形狀較規(guī)范,電荷個(gè)數(shù)有限,且離散分布于有限區(qū)域。步驟步驟:確定確定鏡像像電荷的大小和位置。荷的大小和位置。去掉界面,按原去掉界面,按原電荷和荷和鏡像像電荷求解所求區(qū)域荷求解所求區(qū)域場。求解求解邊界上的感界上的感應(yīng)電荷。荷。求解求解電場力。力。1 1、點(diǎn)電荷關(guān)于無限大導(dǎo)體平面的鏡像點(diǎn)電荷關(guān)于無限大導(dǎo)體平面的鏡像當(dāng)電荷附近存在著
8、導(dǎo)體面或介質(zhì)面時(shí),利用分離變量法直接求解拉普拉斯或泊松方程比較困難,當(dāng)導(dǎo)體面或介質(zhì)面的形狀比較特殊時(shí),往往可以將導(dǎo)體面上的感應(yīng)電荷或介質(zhì)面上的極化電荷用假想的電荷(鏡像電荷)來代替并用來計(jì)算電位分布.關(guān)鍵是要確定鏡像電荷的位置、大小和符號(hào),使場量原來所滿足的方程及及其邊界條件保持不變。若能做到這一點(diǎn),則根據(jù)靜電場唯一性定理,用鏡像法求出的解就成為所要求的場的唯一解。我們無法對(duì)任何形狀的導(dǎo)體面或介質(zhì)面,找出其鏡像電荷,事實(shí)上只能一些特殊幾何形狀的導(dǎo)體面或介質(zhì)面才能做到這一點(diǎn)。如右圖,在無限大接地導(dǎo)體平面(YOZ平面)上方有一點(diǎn)電荷q,距離導(dǎo)體平面的高度為h。用鏡像電荷-q代替導(dǎo)體平面上方的感應(yīng)電
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