《2021年中國(guó)碳化硅市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)分析國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)堅(jiān)持自主研發(fā).docx》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《2021年中國(guó)碳化硅市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)分析國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)堅(jiān)持自主研發(fā).docx（4頁珍藏版）》請(qǐng)?jiān)趨R文網(wǎng)上搜索。

1、2021年中國(guó)碳化硅市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)分析國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)堅(jiān)持自主研發(fā)1、國(guó)家鼓勵(lì)半導(dǎo)體SiC行業(yè)發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料是信息產(chǎn)業(yè)、5G通訊、國(guó)防軍工等戰(zhàn)略領(lǐng)域的核心材料，近年來，國(guó)家出臺(tái)一系列半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鼓勵(lì)政策，為國(guó)內(nèi)企業(yè)提供政策及資金支持，以推動(dòng)以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展。以下政策法律法規(guī)的發(fā)布和落實(shí)利好碳化硅企業(yè)發(fā)展，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)可享受行業(yè)紅利。圖：行業(yè)主要法律法規(guī)政策2、國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)堅(jiān)持自主研發(fā)，縮小與國(guó)外企業(yè)差距SiC行業(yè)是技術(shù)密集型行業(yè)，對(duì)研發(fā)人員操作經(jīng)驗(yàn)、資金投入有較高要求。國(guó)際巨頭半導(dǎo)體公司研發(fā)早于國(guó)內(nèi)公司數(shù)十年，提前完成了技術(shù)積累工作。因此，國(guó)內(nèi)企業(yè)存在人才匱乏、

2、技術(shù)水平較低的困難，制約了半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程發(fā)展。而在碳化硅第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，行業(yè)整體處于產(chǎn)業(yè)化初期，中國(guó)企業(yè)與海外企業(yè)的差距明顯縮小。受益于中國(guó)5G通訊、新能源等新興產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平、產(chǎn)業(yè)化規(guī)模的世界領(lǐng)先地位，國(guó)內(nèi)碳化硅器件巨大的應(yīng)用市場(chǎng)空間驅(qū)動(dòng)上游半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展，國(guó)內(nèi)碳化硅廠商具有自身優(yōu)勢(shì)。在全球半導(dǎo)體材料供應(yīng)不足的背景下，國(guó)際龍頭企業(yè)紛紛提出碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃并保持高研發(fā)投入。同時(shí)，國(guó)內(nèi)本土SiC廠家加速碳化硅領(lǐng)域布局，把握發(fā)展機(jī)會(huì)，追趕國(guó)際龍頭企業(yè)。圖：國(guó)內(nèi)廠商產(chǎn)品及產(chǎn)能情況3、國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)進(jìn)展經(jīng)過多年研發(fā)創(chuàng)新，國(guó)內(nèi)部分公司已經(jīng)掌握半絕緣型碳化硅襯底和導(dǎo)電型碳化硅襯底的生產(chǎn)技

3、術(shù)，并且其產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。SiC襯底產(chǎn)品的核心技術(shù)參數(shù)包括直徑、微管密度、多型面積、電阻率范圍、總厚度變化、彎曲度、翹曲度、表面粗糙度。國(guó)內(nèi)外公司技術(shù)參數(shù)對(duì)比如下：圖：4英寸半絕緣型碳化硅襯底圖：6英寸半絕緣型碳化硅襯底圖1：6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底近年來，國(guó)內(nèi)企業(yè)碳化硅襯底的制造工藝水平也不斷提升。襯底良品率呈上升趨勢(shì)，襯底良品率體現(xiàn)為單個(gè)半導(dǎo)體級(jí)晶棒經(jīng)切片加工后產(chǎn)出合格襯底的占比，受晶棒質(zhì)量、切割加工技術(shù)等多方面的影響。國(guó)內(nèi)碳化硅襯底公司山東天岳，據(jù)公司招股書披露，核心生產(chǎn)環(huán)節(jié)的晶棒良品率由2018年的41.00%上升至2020年的50.73%，公司襯底良品率總體保持在70%以上，

4、對(duì)公司產(chǎn)品質(zhì)量的提升起到了明顯的帶動(dòng)作用。國(guó)內(nèi)企業(yè)在碳化硅襯底領(lǐng)域市場(chǎng)占有率快速增長(zhǎng)。根據(jù)山東天岳招股書，半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)，山東天岳在中國(guó)市場(chǎng)處于領(lǐng)先位臵。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2019-2020年，在半絕緣型碳化硅襯底領(lǐng)域，天岳先進(jìn)公司按銷售額統(tǒng)計(jì)的市場(chǎng)份額均位列全球第三。目前，國(guó)內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)現(xiàn)了設(shè)備研制、原料合成、晶體生長(zhǎng)、晶體切割、晶片加工、清洗檢測(cè)的全流程自主可控，有能力為下游外延器件廠商穩(wěn)定提供高品質(zhì)碳化硅晶片，加速碳化硅下游廠商實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。國(guó)內(nèi)碳化硅代工企業(yè)大幅投入，并完成初始技術(shù)積累。目前國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域公司主要有：三安光電：公司2017年底公告與泉州政府合作333億元化合

5、物半導(dǎo)體項(xiàng)目，預(yù)計(jì)全部項(xiàng)目五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)、七年內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。2020年，公司在長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司湖南三安，投資160億元，建設(shè)占地面積1000畝的“三安光電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園”。該產(chǎn)業(yè)園主要用于建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，有望成為我國(guó)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線。目前，湖南三安碳化硅工廠已投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。露笑科技：公司已實(shí)現(xiàn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片的小規(guī)模生產(chǎn)，碳化硅項(xiàng)目的成功落地標(biāo)志著公司由過去的基礎(chǔ)制造企業(yè)完成向高端制造企業(yè)的蛻變。公司在布局藍(lán)寶石業(yè)務(wù)期間積累了大量的生產(chǎn)藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐的經(jīng)驗(yàn)，由于藍(lán)寶石晶體和碳化硅晶體生長(zhǎng)之間的相似性，公

6、司在碳化硅晶體生長(zhǎng)的長(zhǎng)晶爐上同樣具有較強(qiáng)的實(shí)力。公司憑借在藍(lán)寶石業(yè)務(wù)上的深厚積淀，已突破以下幾項(xiàng)碳化硅長(zhǎng)晶爐及長(zhǎng)晶環(huán)節(jié)關(guān)鍵技術(shù)：完成6寸石英管式碳化硅晶體生長(zhǎng)爐開發(fā)，以獨(dú)特密封結(jié)構(gòu)解決設(shè)備高真空度獲取與長(zhǎng)時(shí)間保持的難題，極限真空210-5Pa，具備工程化使用條件。完成大尺寸碳化硅單晶制備相關(guān)理論的研究，通過計(jì)算機(jī)模型輔助計(jì)算，形成了單晶制備過程物質(zhì)與熱量傳輸、缺陷演變的基本規(guī)律，解決了熱場(chǎng)均勻性差、大尺寸單晶應(yīng)力聚集、單晶擴(kuò)徑難等問題，為6寸及以上半絕緣碳化硅晶體的制備打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。解決晶型生長(zhǎng)控制難、微管密度大、晶體背向腐蝕嚴(yán)重等難題，提升了單晶質(zhì)量，通過長(zhǎng)晶過程中的除雜工藝實(shí)現(xiàn)了高電阻率

7、晶體生長(zhǎng)。高純度碳化硅原料合成，有效降低原料中對(duì)電阻率提升有害的特定雜質(zhì)含量濃度，達(dá)到小于1ppm量級(jí)。4、碳化硅產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)進(jìn)口替代趨勢(shì)不可逆轉(zhuǎn)在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的支持和引導(dǎo)下，我國(guó)碳化硅晶片產(chǎn)業(yè)發(fā)展大幅提速。國(guó)內(nèi)企業(yè)以技術(shù)驅(qū)動(dòng)發(fā)展，深耕碳化硅晶片與晶體制造，逐步掌握了2英寸至6英寸碳化硅晶體和晶片的制造技術(shù)，打破了國(guó)內(nèi)碳化硅晶片制造的技術(shù)空白并逐漸縮小與發(fā)達(dá)國(guó)家的技術(shù)差距。未來伴隨我國(guó)新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等行業(yè)的快速發(fā)展，我國(guó)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模和產(chǎn)業(yè)技術(shù)將得到進(jìn)一步提升。在國(guó)際貿(mào)易摩擦加劇的背景下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代的趨勢(shì)不可逆轉(zhuǎn)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈涉及國(guó)防軍工、無線通訊、雷達(dá)、新能源電車等多個(gè)核心國(guó)民領(lǐng)域，所以，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控是我國(guó)的戰(zhàn)略性任務(wù)。目前，我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品存在嚴(yán)重的進(jìn)口依賴問題，據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2017年至2019年，我國(guó)集成電路年進(jìn)口額分別為2,601億美元、3,121億美元和3,055億美元，是同期半導(dǎo)體出口額的3倍以上。為解決該問題，國(guó)家宏觀到微觀層面先后出臺(tái)了大量支持政策與規(guī)劃，數(shù)千億規(guī)模的國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)與設(shè)計(jì)、下游應(yīng)用領(lǐng)域的重點(diǎn)企業(yè)提供了有力的資金支持，促進(jìn)各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)突破。完善的基建配套、巨大的工程技術(shù)人員規(guī)模和市場(chǎng)容量為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)提供獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。