2021年中國碳化硅市場發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢分析 國內(nèi)碳化硅企業(yè)堅持自主研發(fā).docx
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1、2021年中國碳化硅市場發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢分析 國內(nèi)碳化硅企業(yè)堅持自主研發(fā)1、國家鼓勵半導(dǎo)體SiC行業(yè)發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料是信息產(chǎn)業(yè)、5G通訊、國防軍工等戰(zhàn)略領(lǐng)域的核心材料,近年來,國家出臺一系列半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鼓勵政策,為國內(nèi)企業(yè)提供政策及資金支持,以推動以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展。以下政策法律法規(guī)的發(fā)布和落實利好碳化硅企業(yè)發(fā)展,碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)可享受行業(yè)紅利。圖:行業(yè)主要法律法規(guī)政策2、國內(nèi)碳化硅企業(yè)堅持自主研發(fā),縮小與國外企業(yè)差距SiC行業(yè)是技術(shù)密集型行業(yè),對研發(fā)人員操作經(jīng)驗、資金投入有較高要求。國際巨頭半導(dǎo)體公司研發(fā)早于國內(nèi)公司數(shù)十年,提前完成了技術(shù)積累工作。因此,國內(nèi)企業(yè)存在人才匱乏
2、、技術(shù)水平較低的困難,制約了半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化進程發(fā)展。而在碳化硅第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,行業(yè)整體處于產(chǎn)業(yè)化初期,中國企業(yè)與海外企業(yè)的差距明顯縮小。受益于中國5G通訊、新能源等新興產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平、產(chǎn)業(yè)化規(guī)模的世界領(lǐng)先地位,國內(nèi)碳化硅器件巨大的應(yīng)用市場空間驅(qū)動上游半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展,國內(nèi)碳化硅廠商具有自身優(yōu)勢。在全球半導(dǎo)體材料供應(yīng)不足的背景下,國際龍頭企業(yè)紛紛提出碳化硅產(chǎn)能擴張計劃并保持高研發(fā)投入。同時,國內(nèi)本土SiC廠家加速碳化硅領(lǐng)域布局,把握發(fā)展機會,追趕國際龍頭企業(yè)。圖:國內(nèi)廠商產(chǎn)品及產(chǎn)能情況3、國內(nèi)碳化硅企業(yè)進展經(jīng)過多年研發(fā)創(chuàng)新,國內(nèi)部分公司已經(jīng)掌握半絕緣型碳化硅襯底和導(dǎo)電型碳化硅襯底的生產(chǎn)
3、技術(shù),并且其產(chǎn)品質(zhì)量達到國際先進水平。SiC襯底產(chǎn)品的核心技術(shù)參數(shù)包括直徑、微管密度、多型面積、電阻率范圍、總厚度變化、彎曲度、翹曲度、表面粗糙度。國內(nèi)外公司技術(shù)參數(shù)對比如下:圖:4英寸半絕緣型碳化硅襯底圖:6英寸半絕緣型碳化硅襯底圖1:6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底近年來,國內(nèi)企業(yè)碳化硅襯底的制造工藝水平也不斷提升。襯底良品率呈上升趨勢,襯底良品率體現(xiàn)為單個半導(dǎo)體級晶棒經(jīng)切片加工后產(chǎn)出合格襯底的占比,受晶棒質(zhì)量、切割加工技術(shù)等多方面的影響。國內(nèi)碳化硅襯底公司山東天岳,據(jù)公司招股書披露,核心生產(chǎn)環(huán)節(jié)的晶棒良品率由2018年的41.00%上升至2020年的50.73%,公司襯底良品率總體保持在70%以上
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