2022年中國碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀分析.docx
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1、2022年中國碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀分析一、中國碳化硅發(fā)展歷程及分類1、碳化硅的發(fā)展歷程自碳化硅被發(fā)現(xiàn)后數(shù)十年,發(fā)展進(jìn)程一直較為緩慢。直到科銳成立并開始碳化硅的商業(yè)化,碳化硅行業(yè)在此后25年開始進(jìn)入快速發(fā)展階段。常見的半導(dǎo)體材料包括硅、鍺等元素半導(dǎo)體及砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體材料。從被研究和規(guī)?;瘧?yīng)用的時間先后順序來看,上述半導(dǎo)體材料被業(yè)內(nèi)通俗地劃分為三代。碳化硅的發(fā)展歷程及演變2、碳化硅的分類碳化硅襯底主要有2大類型:半絕緣型和導(dǎo)電型。在半絕緣型碳化硅市場,目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為4 英寸,主要應(yīng)用于信息通訊、無線電探測等領(lǐng)域。在導(dǎo)電型碳化硅市場,目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為6 英寸,主要應(yīng)
2、用于新能源汽車、軌道交通以及大功率輸電變電等領(lǐng)域。碳化硅的分類3、碳化硅制作流程碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,經(jīng)過外延生長、器件制造等環(huán)節(jié),可制成碳化硅基功率器件和微波射頻器件。高純硅粉、高純碳粉等原料合成的碳化硅微粉經(jīng)過晶體生長、晶淀加工形成碳化硅晶體,然后碳化硅晶體經(jīng)過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成碳化硅晶片。碳化硅晶片的制作流程4、碳化硅的優(yōu)勢碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料,有著獨(dú)特的優(yōu)勢。密度低,碳化硅的密度低于金屬,這使它更加輕便;耐腐蝕性,不與其他高強(qiáng)度化學(xué)品發(fā)生反應(yīng);耐高溫,他的熔點(diǎn)高,具有超高的導(dǎo)熱性;機(jī)械強(qiáng)度高;高硬度,有這很強(qiáng)的耐受能力。碳化硅的優(yōu)勢數(shù)據(jù)來源,公開資料整理
3、二、中國碳化硅政策由于碳化硅作為中國第三代半導(dǎo)體的主要材料,得到國家的高度重視,近幾年相繼出臺了許多政策,扶持中國碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,為保證中國碳化硅產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展,中國第十三屆全國人民四次會議審議通過決定,集中電路的設(shè)計(jì)工具,重點(diǎn)裝備和高純度靶材等相關(guān)材料研發(fā)。中國碳化硅產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策三、中國碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈1、碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈以碳化硅材料為襯底的產(chǎn)業(yè)鏈主要包括碳化硅襯底材料的制備、外延層的生長、器件制造以及下游應(yīng)用市場。在碳化硅襯底上,主要使用化學(xué)氣相沉積法(CVD 法)在襯底表面生成所需的薄膜材料,即形成外延片,進(jìn)一步制成器件。應(yīng)用領(lǐng)域最終主要分為射頻器件(5G、國防等)和功率器件(能源等)。
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