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1、習(xí)題解答三,第三章 多級放大電路第二章 基本放大電路第一章 常用半導(dǎo)體器件,第三章 多級放大電路,三、選擇合適答案填入空內(nèi)。（1）直接耦合放大電路存在零點漂移的原因是 。 A.電阻阻值有誤差 B.晶體管參數(shù)的分散性 C.晶體管參數(shù)受溫度影響 D.電源電壓不穩(wěn)定（2）集成放大電路采用直接耦合方式的原因是 。 A.便于設(shè)計 B.放大交流信號 C.不易制作大容量電容（3）選用差分放大電路的原因是 。 A.克服溫漂 B. 提高輸入電阻 C.穩(wěn)定放入倍數(shù)（4）差分放大電路的差模信號是兩個輸入端信號的 ，共模信號是兩個輸入端信號的 。 A.差 B.和 C.平均值（5）用恒流源取代長尾式差分放大電路中的發(fā)射

2、極電阻Re，將使電路 的 。 A.差模放大倍數(shù)數(shù)值增大 B.抑制共模信號能力增強(qiáng) C.差模輸入電阻增大（6）互補(bǔ)輸出級采用共集形式是為了使 。 A.電壓放大倍數(shù)大 B.不失真輸出電壓大 C.帶負(fù)載能力強(qiáng),（1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B（6）C,3.6 圖P3.6所示電路參數(shù)理想對稱，晶體管的均為50，rbb=100，UBEQ0.7。試計算RW滑動端在中點時T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流IEQ，以及動態(tài)參數(shù)Ad和Ri。,圖P3.6,解：RW滑動端在中點時T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流分析如下：,Ad和Ri分析如下：,第二章 基本放大電路,自 測 題 一、在括號內(nèi)用“”或

3、“”表明下列說法是否正確。 （1）只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用；（ ） （2）可以說任何放大電路都有功率放大作用；（ ） （3）放大電路中輸出的電流和電壓都是由有源元件提供的；（ ） （4）電路中各電量的交流成份是交流信號源提供的；（ ） （5）放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作；（ ） （6）由于放大的對象是變化量，所以當(dāng)輸入信號為直流信號時，任何 放大電路的輸出都毫無變化；（ ） （7）只要是共射放大電路，輸出電壓的底部失真都是飽和失真。（ ）,（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7）,2.9解：(1),(2)由,可得：,。,2.10解：由于,所以,

4、空載時，輸入信號增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)飽和失真。故,RL=3K時，當(dāng)輸入信號增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)截止失真。故,2.11電路如圖P2.11所示，晶體管=100，rbb=100。(1)求電路的Q點、Au、Ri和Ro；(2)若改用=200的晶體管，則Q點如何變化？(3)若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？,解：(1)靜態(tài)分析：,動態(tài)分析：,(2) =200時，,（不變）,（不變）,（減小）,(3) Ce開路時，,（減?。?（增大）,（不變）,（不變）,2.12 電路如圖P2.12所示，晶體管的=80，rbe=1k。(1)求出Q點； (2)分別求出RL=和RL=

5、3k時電路的Au、Ri和Ro,解：(1)求解Q 點：,(2)求解放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻：RL=時：,圖P2.12,RL=3k時：,輸出電阻：,2.13 電路如圖P2.13 所示，晶體管的=60 , rbb=100,(1)求解Q點、Au、Ri和Ro,(2)設(shè)Us = 10mV （有效值），問Ui=？Uo=？若C3開路，則Ui=？Uo=？,解：(1) Q 點：,圖P2.13,Au、Ri和Ro的分析,(2)設(shè)Us = 10mV （有效值），則,若C3開路，則：,第一章 常用半導(dǎo)體器件,自 測 題一、判斷下列說法是否正確，用“”和“”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。（1）在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素

6、，可將其改型為P型半導(dǎo)體。（ ）（2）因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。（ ）（3）PN結(jié)在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為零。（ ）（4）處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。（ ）（5）結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其RGS大的特點。（ ）（6）若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零，則其輸入電阻會明顯變小。（ ）,（1） （2） （3） （4） （5） （6）,二、選擇正確答案填入空內(nèi)。（1）PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將 。 A. 變窄 B. 基本不變 C. 變寬（2）設(shè)二極管的端電壓為U，則二極管的電流方程是 。 A.

7、 ISeU B. C. （3）穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 。 A. 正向?qū)?B.反向截止 C.反向擊穿（4）當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）UGS0V時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有 。 A. 結(jié)型管 B. 增強(qiáng)型MOS管 C. 耗盡型MOS管,（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C,1.8現(xiàn)測得放大電路中兩只管子兩個電極的電流如圖P1.8所示。分別求另一電極的電流，標(biāo)出其方向，并在圓圈中畫出管子，且分別求出它們的電流放大系數(shù)。,圖Pl.8,(a) (b),(a) (b),解圖Pl.8,1.9 測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖P1.9所示。在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管。,解：晶體管三個極分別為上、中、下管腳，答案如解表P1.9所示。,圖P1.9,解表P1.9,1.12分別判斷圖Pl.12 所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。,(a) (b) (c),解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的發(fā)射結(jié)會因電流過大而損壞。(e)可能。,(d) (e),圖P1.12,