第四節(jié)離子晶體.ppt
第四節(jié) 離子晶體1常見離子化合物種類:活潑的金屬與活潑的非金屬形成的化合物大多數(shù)金屬氧化物、含氧酸鹽(包括銨鹽)、強堿離子晶體:由陽離子和陰離子通過離 子鍵結(jié)合而成的晶體。離子晶體2思考:如何比較兩種離子晶體的熔點、硬度?影響離子鍵強度的因素1、離子電荷數(shù)的影響:離子所帶電荷多,離子鍵強。2、離子半徑的影響:離子半徑大,離子間距大,離子鍵弱;相反,半徑小,離子鍵強。離子鍵越強,熔點、硬度越大。離子所帶電荷越多,離子半徑越小,熔點、硬度越大。3氯化鈉晶胞結(jié)構(gòu)圖4NaCl晶體中陰、陽離子配位數(shù)5-Cs+-Cl-CsCl的晶體結(jié)構(gòu)示意圖6離子晶體的配位數(shù):一個離子周圍最近的異電性離子的數(shù)目 NaCl CsClr+/r-=r+/r-=C.N.=6 C.N.=80.525 0.934r+/r-越大,配位數(shù)越大 規(guī)律:7配位數(shù) 4 6 8半徑比 0.20.4 0.40.7 0.71.0空間構(gòu)型ZnSNaCl CsClZnS晶胞8CaF2的晶胞CaF2的晶體中,Ca2和F的電荷數(shù)之比_,個數(shù)之比_,Ca2配位數(shù)是_,F(xiàn)的配位數(shù)是_。1:2 2:1 84CaFCaF2晶胞的1/8,觀察點為上左前方晶胞上面心CaF2的晶胞9決定離子配位數(shù)的因素1、幾何因素:晶體中正負離子的半徑比決定正負離子的配位數(shù)2、電荷因素:晶體中正負離子的電荷比決定正負離子配位數(shù)的比值3、鍵性因素:離子晶體的結(jié)構(gòu)類型還與離子鍵的純粹程度(簡稱鍵性因素),即與晶體中正負離子的相互極化程度有關(guān)。10氯化鈉晶胞中的鈉骨架有多少個鈉離子?Na+=(8/8+6/2)=4個11氯化鈉中晶胞中的氯骨架提問:一個氯化鈉晶胞中有多少個氯離子?Cl-=(12/4+1)=4個12NaCl的晶體結(jié)構(gòu)Cl-Na+在氯化鈉晶體中,每個Na+同時吸引著6個Cl-,每個Cl-也同時吸引著6個Na+.所以在NaCl晶體中,Na+與Cl-個數(shù)比為1:1.在整個晶體中不存在單個的NaCl分子。NaCl不是表示分子組成的分子式,只是表示晶體內(nèi)離子個數(shù)比的化學式。每個Na+周圍最近等距的Na+有_個,每個Cl-周圍最近等距的Cl-有_個 121213-Cl-Na+NaCl的晶體結(jié)構(gòu)模型14氯化銫的晶體結(jié)構(gòu)15氯化銫的晶體結(jié)構(gòu)16CsCl的晶體結(jié)構(gòu)Cs+Cl-在氯化銫晶體中,每個Cs+同時吸引著8個Cl-,而每個Cl-也同時吸引8個Cs+,所以在CsCl晶體中Cs+與Cl-個數(shù)比也是1:1。故而CsCl是只表示離子個數(shù)比的化學式。每個Cs+周圍最近等距的Cs+有_個,每個Cl-周圍最近等距的Cl-有_個 6617四種晶體類型與性質(zhì)的比較晶體類型 原子晶體分子晶體離子晶體作用力 共價鍵范德華力離子鍵構(gòu)成微粒 原子 分子陰陽離子物理性質(zhì)熔沸點很高 很低較高硬度 很大 很小較高導電性無(硅為半導體)無固態(tài):無液態(tài):導電水溶液:導電實例金剛石、二氧化硅、碳化硅Ar、H2O、CO2等NaOH、NH4Cl、Na2O金屬晶體金屬鍵金屬陽離子自由電子相差很大相差很大固液導電金屬合金18晶體類型的判斷從物質(zhì)的分類上判斷:離子晶體:強堿、大多數(shù)鹽類、活潑金屬氧化物;分子晶體:大多數(shù)非金屬單質(zhì)(金剛石、石墨、晶體硅、晶體硼除外)及氧化物(SiO2除外),所有的酸及非金屬氫化物,大多數(shù)有機物等。原子晶體:金剛石、晶體硅、晶體硼、SiO2、SiC、BN等金屬晶體:金屬單質(zhì)(液態(tài)Hg除外)及合金19從性質(zhì)上判斷:固態(tài)時不導電熔融狀態(tài)時能導電:離子晶體;固態(tài)時導電熔融狀態(tài)時也導電:金屬晶體及石墨;固態(tài)時不導電熔融狀態(tài)時也不導電:分子晶體、原子晶體。高:原子晶體;中:離子晶體;低:分子晶體熔沸點和硬度物質(zhì)的導電性20練習:將下列物質(zhì)熔點由高到低排序H2O Na NH3 石墨 金剛石 NaF KCl CH4 晶體硅 21總結(jié)影響碳酸鹽分解溫度的因素 碳酸鹽的分解溫度與金屬陽離子所帶的電荷及陽離子半徑有關(guān) 金屬陽離子所帶的電荷越多、陽離子半徑越小,金屬陽離子與碳酸根中的氧離子作用越強,碳酸鹽的分解溫度越低22晶格能:2、影響晶格能的大小的因素:(1)陰、陽離子所帶電荷的越多晶格能越大。(2)陰、陽離子的半徑越小,晶格能越大。3、晶格能越大,形成的離子晶體的離子鍵越強,形成的離子晶體越穩(wěn)定,熔點越高、硬度越大。1、定義:氣態(tài)離子形成1摩離子晶體時釋放的能量。23 分析表39、310中的數(shù)據(jù),總結(jié)巖漿中礦物結(jié)晶析出的順序與晶格能大小有何聯(lián)系?晶格能高的晶體熔點較高,更容易在巖漿冷卻過程中冷卻下來,從而先結(jié)晶24
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類型:共享資源
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- 第四 離子 晶體
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第四節(jié) 離子晶體1常見離子化合物種類:活潑的金屬與活潑的非金屬形成的化合物大多數(shù)金屬氧化物、含氧酸鹽(包括銨鹽)、強堿離子晶體:由陽離子和陰離子通過離 子鍵結(jié)合而成的晶體。離子晶體2思考:如何比較兩種離子晶體的熔點、硬度?影響離子鍵強度的因素1、離子電荷數(shù)的影響:離子所帶電荷多,離子鍵強。2、離子半徑的影響:離子半徑大,離子間距大,離子鍵弱;相反,半徑小,離子鍵強。離子鍵越強,熔點、硬度越大。離子所帶電荷越多,離子半徑越小,熔點、硬度越大。3氯化鈉晶胞結(jié)構(gòu)圖4NaCl晶體中陰、陽離子配位數(shù)5-Cs+-Cl-CsCl的晶體結(jié)構(gòu)示意圖6離子晶體的配位數(shù):一個離子周圍最近的異電性離子的數(shù)目 NaCl CsClr+/r-=r+/r-=C.N.=6 C.N.=80.525 0.934r+/r-越大,配位數(shù)越大 規(guī)律:7配位數(shù) 4 6 8半徑比 0.20.4 0.40.7 0.71.0空間構(gòu)型ZnSNaCl CsClZnS晶胞8CaF2的晶胞CaF2的晶體中,Ca2和F的電荷數(shù)之比_,個數(shù)之比_,Ca2配位數(shù)是_,F(xiàn)的配位數(shù)是_。1:2 2:1 84CaFCaF2晶胞的1/8,觀察點為上左前方晶胞上面心CaF2的晶胞9決定離子配位數(shù)的因素1、幾何因素:晶體中正負離子的半徑比決定正負離子的配位數(shù)2、電荷因素:晶體中正負離子的電荷比決定正負離子配位數(shù)的比值3、鍵性因素:離子晶體的結(jié)構(gòu)類型還與離子鍵的純粹程度(簡稱鍵性因素),即與晶體中正負離子的相互極化程度有關(guān)。10氯化鈉晶胞中的鈉骨架有多少個鈉離子?Na+=(8/8+6/2)=4個11氯化鈉中晶胞中的氯骨架提問:一個氯化鈉晶胞中有多少個氯離子?Cl-=(12/4+1)=4個12NaCl的晶體結(jié)構(gòu)Cl-Na+在氯化鈉晶體中,每個Na+同時吸引著6個Cl-,每個Cl-也同時吸引著6個Na+.所以在NaCl晶體中,Na+與Cl-個數(shù)比為1:1.在整個晶體中不存在單個的NaCl分子。NaCl不是表示分子組成的分子式,只是表示晶體內(nèi)離子個數(shù)比的化學式。每個Na+周圍最近等距的Na+有_個,每個Cl-周圍最近等距的Cl-有_個 121213-Cl-Na+NaCl的晶體結(jié)構(gòu)模型14氯化銫的晶體結(jié)構(gòu)15氯化銫的晶體結(jié)構(gòu)16CsCl的晶體結(jié)構(gòu)Cs+Cl-在氯化銫晶體中,每個Cs+同時吸引著8個Cl-,而每個Cl-也同時吸引8個Cs+,所以在CsCl晶體中Cs+與Cl-個數(shù)比也是1:1。故而CsCl是只表示離子個數(shù)比的化學式。每個Cs+周圍最近等距的Cs+有_個,每個Cl-周圍最近等距的Cl-有_個 6617四種晶體類型與性質(zhì)的比較晶體類型 原子晶體分子晶體離子晶體作用力 共價鍵范德華力離子鍵構(gòu)成微粒 原子 分子陰陽離子物理性質(zhì)熔沸點很高 很低較高硬度 很大 很小較高導電性無(硅為半導體)無固態(tài):無液態(tài):導電水溶液:導電實例金剛石、二氧化硅、碳化硅Ar、H2O、CO2等NaOH、NH4Cl、Na2O金屬晶體金屬鍵金屬陽離子自由電子相差很大相差很大固液導電金屬合金18晶體類型的判斷從物質(zhì)的分類上判斷:離子晶體:強堿、大多數(shù)鹽類、活潑金屬氧化物;分子晶體:大多數(shù)非金屬單質(zhì)(金剛石、石墨、晶體硅、晶體硼除外)及氧化物(SiO2除外),所有的酸及非金屬氫化物,大多數(shù)有機物等。原子晶體:金剛石、晶體硅、晶體硼、SiO2、SiC、BN等金屬晶體:金屬單質(zhì)(液態(tài)Hg除外)及合金19從性質(zhì)上判斷:固態(tài)時不導電熔融狀態(tài)時能導電:離子晶體;固態(tài)時導電熔融狀態(tài)時也導電:金屬晶體及石墨;固態(tài)時不導電熔融狀態(tài)時也不導電:分子晶體、原子晶體。高:原子晶體;中:離子晶體;低:分子晶體熔沸點和硬度物質(zhì)的導電性20練習:將下列物質(zhì)熔點由高到低排序H2O Na NH3 石墨 金剛石 NaF KCl CH4 晶體硅 21總結(jié)影響碳酸鹽分解溫度的因素 碳酸鹽的分解溫度與金屬陽離子所帶的電荷及陽離子半徑有關(guān) 金屬陽離子所帶的電荷越多、陽離子半徑越小,金屬陽離子與碳酸根中的氧離子作用越強,碳酸鹽的分解溫度越低22晶格能:2、影響晶格能的大小的因素:(1)陰、陽離子所帶電荷的越多晶格能越大。(2)陰、陽離子的半徑越小,晶格能越大。3、晶格能越大,形成的離子晶體的離子鍵越強,形成的離子晶體越穩(wěn)定,熔點越高、硬度越大。1、定義:氣態(tài)離子形成1摩離子晶體時釋放的能量。23 分析表39、310中的數(shù)據(jù),總結(jié)巖漿中礦物結(jié)晶析出的順序與晶格能大小有何聯(lián)系?晶格能高的晶體熔點較高,更容易在巖漿冷卻過程中冷卻下來,從而先結(jié)晶24展開閱讀全文
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